2006年1月19、20日，北京市范伯元副市長、國家科技部高新司材料處及高技術(shù)中心的領(lǐng)導(dǎo)先后對總院和有研硅股共同承擔(dān)的863課題“12英寸硅單晶拋光片和外延片的研制”作現(xiàn)場檢查和指導(dǎo)。屠海令院長、張少明副院長、熊柏青副院長以及有研硅股周旗鋼總經(jīng)理等接待了來賓。
周旗鋼總經(jīng)理從試驗(yàn)線工程建設(shè)、關(guān)鍵技術(shù)的突破和市場開拓三個方面進(jìn)行了匯報。屠海令院長進(jìn)行了補(bǔ)充說明。范副市長和科技部高新司領(lǐng)導(dǎo)對試驗(yàn)線建設(shè)的工作和進(jìn)度表示了肯定，對關(guān)鍵技術(shù)的突破和自主創(chuàng)新能力表示贊許，并對該兩項(xiàng)課題今后對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支撐以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的帶動作用寄以厚望。
經(jīng)過兩年的建設(shè)“12英寸硅單晶拋光片和外延片試驗(yàn)線”于2005年底基本完成。該線的建設(shè)主要依托于國家科技部“十五”863重大專項(xiàng)“超大規(guī)模集成電路配套材料”中的課題“12英寸硅單晶拋光片的研制”和“12英寸硅單晶外延片的研制”，北京市也對其進(jìn)行了重點(diǎn)支持。
該試驗(yàn)線的建成將突破國外對我國實(shí)施的高端集成電路用材料的技術(shù)封鎖，滿足國家戰(zhàn)略需要，并將極大地促進(jìn)國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的完善和北方微電子產(chǎn)業(yè)基地的建設(shè)。